Диапазон частот | 500 - 900 МГц |
Выходная мощность | 30 Вт |
Напряжение питания | 12.6 В |
Коэффициент усиления по мощности | 3.5 раз |
Класс C | |
Cхема с общим эмиттером |
Эпитаксиально-планарный n-p-n низковольтный СВЧ транзистор KТ9193 предназначен для работы в усилителях мощности мобильной и портативной аппаратуры специального назначения. Надежность эксплуатации обеспечивается использованием балластирующих эмиттерных резисторов и 100%-ным контролем по Рк max.
Наименование параметра (режим измерения), единица измерения |
Буквенное обозначение |
Норма | Темперaтура среды, °С |
|
---|---|---|---|---|
не менее | не более | |||
Выходная мощность (Uп=12.6 В, f=900 МГц, Рвх не более 8.6 Вт, Вт |
Рвых | 30 | - | tк<60 |
Коэффициент усиления по мощности (Uп=12.6 В, f=900 МГц, Рвых=30 Вт, раз |
Куp | 3.5 | - | tк<60 |
Коэффициент полезного действия коллектора (Uп=12.6 В, f=900 МГц, Рвых=30 Вт), % |
hк | 55 | - | tк<60 |
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (Uкэ=10 В, Iк=4 А, f=300 МГц) |
Ih21Э I | 2.4 | - | 25+10 |
Обратный ток коллектор-эмиттер (Uкэ=36 В, RэБ=10 Ом), мА |
IКЭR | - | 20 | 25+10 |
Обратный ток эмиттера (UэБ=3 В), мА | IэБo | - | 20 | 25+10 |
Емкость коллекторного перехода (UкБ=12.6 В, f=900 МГц), пФ |
Ск | - | 60 | 25+10 |
Наименование параметра | Буквенное обозначение |
Норма | Единица измерения |
Примечание |
---|---|---|---|---|
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер |
UКЭR max | 36 | В | 1 |
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение эмиттер-база |
UэБ max | 3 | В | 1 |
Максимально допустимый постоянный ток коллектора |
Iк max | 10 | A | 2 |
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме |
Рк, ср. max | 70 | Вт | 3 |
Максимально допустимая температура перехода |
tп max | +200 | °С | - |
Максимально допустимая температура корпуса |
tк max | +125 | °С | - |
Минимально допустимая температура среды |
tc min | -60 | °С | - |
Максимально допустимое напряжение питиания |
Uп max | 14 | В | - |
Максимально допустимое напряжение питиания в непрерывном динамическом режиме |
Uп max | 15.6 | В | - |
ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРОВ | ||||
Тепловое сопротивление переход-корпус |
Rт п-k | 2.0 | °С/Вт | - |
Тепловое сопротивление корпус-теплоотвод |
Rт k-т | 0.7 | °С/Вт | - |
Примечания:
1 - для всего диапазона температур;
2 - для всего диапазона температур, при условии, что Рк, ср. max не превышает предельного значения;
3 - при температуре корпуса от +60°С до +125°С Рк, ср. max линейно снижается и рассчитывается по формуле:
Типовые выходные характеристики
в схеме с общим эмиттером
Типовая входная характеристика
в схеме с общим эмиттером
Типовые зависимости выходной мощности и коэффициента полезного действия коллектора
от напряжения питания
Зависимость коэффициента усиления по мощности
от напряжения питания
Типовые зависимости выходной мощности и коэффициента усиления по мощности
от входной мощности
Типовая зависимость коэффициента полезного действия коллектора
от входной мощности
Типовые зависимости коэффициента усиления по мощности и
коэффициента полезного действия коллектора от частоты
Типовая зависимость выходной мощности
от температуры корпуса
Область безопасных режимов в статическом режиме
Область безопасных режимов в динамическом режиме на частотах выше 1 МГц
Типовая зависимость ёмкости коллекторного перехода
от постоянного напряжения коллектор-база на частоте f=30 МГц