| Диапазон частот | 470 - 860 МГц |
| Выходная мощность в пике огибающей | 8 Вт |
| Напряжение питания | 25 В |
| Коэффициент усиления по мощности | 7 раз |
| Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка |
-58 дБ |
| Класс А | |
| Cхема с общим эмиттером |
Эпитаксиально-планарный n-p-n мощный СВЧ транзистор КТ9150А предназначен для работы в линейных усилителях мощности различных радиотехнических систем широкого назначения. Надежность эксплуатации обеспечивается использованием золотой металлизации, балластирующих эмиттерных резисторов и 100%-ным контролем по Рк max.
| Наименование параметра (режим измерения), единица измерения |
Буквенное обозначение |
Норма | Темперaтура среды, °С |
|
|---|---|---|---|---|
| не менее | не более | |||
| Выходная мощность в пике огибающей (Uп=25 В, f=860МГц, Рвх,п.о. не более 1.1 Вт, Iк=2*0.9 А), Вт |
Рвых,п.о. | 8 | - | tк<40 |
| Коэффициент усиления по мощности (Uп=25 В, f=860 МГц, Рвых,п.о.=8 Вт, Iк=2*0.9 А), раз |
Куp,п.о. | 7 | - | tк<40 |
| Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка (Uп=25 В, f=860 МГц, Рвых,п.о.=8 Вт, Iк=2*0.9 А), дБ |
М3 | - | -58 | tк<40 |
| Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (Uкэ=10 В, Iк=2.5 А, f=300 МГц) |
Ih21Э I | 1.6 | - | 25±10 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер (Uкэ=40 В, RэБ=10 Ом), мА |
IКЭR | - | 25 | 25±10 |
| Обратный ток эмиттера (UэБ=4 В), мА | IэБo | - | 15 | 25±10 |
| Емкость коллекторного перехода (UкБ =25 В, f=30 МГц), пФ |
Ск | - | 42 | 25±10 |
| Наименование параметра | Буквенное обозначение |
Норма | Единица измерения |
Примечание |
|---|---|---|---|---|
| Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер |
UКЭR max | 40 | В | 1 |
| Максимально допустимое обратное постоянное напряжение эмиттер-база |
UэБ max | 4 | В | 1 |
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора |
Iк max | 5 | A | 2 |
| Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме |
Рк, ср. max | 50 | Вт | 3 |
| Максимально допустимая температура перехода |
tп max | +200 | °С | - |
| Максимально допустимая температура корпуса |
tк max | +125 | °С | - |
| Минимально допустимая температура среды |
tc min | -60 | °С | - |
| ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРОВ | ||||
| Тепловое сопротивление переход-корпус |
Rт п-к | 2.5 | °С/Вт | - |
| Тепловое сопротивление корпус-теплоотвод |
Rт к-т | 0.5 | °С/Вт | - |
Примечания:
1 - для всего диапазона температур;
2 - для всего диапазона температур, при условии, что Рк, cp. max не превышает предельного значения;
3 - при температуре корпуса от +75°С до +125°С Рк, cp. max линейно снижается и рассчитывается по формуле:
Зависимость выходной мощности в пике огибающей
от температуры корпуса
Зависимость выходной мощности в пике огибающей
от напряжения питания
Зависимость коэффициента комбинационных составляющих
третьего порядка от выходной мощности в пике огибающей
Зависимость коэффициента усиления по мощности
в пике огибающей от напряжения питания
Область максимальных режимов на постоянном токе