Руководством предприятия
принято решение в качестве приоритетного направления технического развития
определить разработки мощных импульсных паллет усилителей мощности для создания
законченных функциональных блоков на их основе.
Применение некоторых ВЧ
и СВЧ транзисторов в действующих образцах аппаратуры в настоящее время по-прежнему
востребовано. Но ввиду малой потребности их производство объективно становится
нерентабельным, поскольку для каждого типа транзистора требуется свой комплект
фотошаблонов и, соответственно, в каждом конкретном случае – специальный
запуск рабочей партии пластин с транзисторными структурами. Поэтому возникла
задача проработки и реализации проекта по проведению максимальной унификации
конструкции и технологии транзисторных кристаллов с целью использования минимального
количества комплектов фотошаблонов для изготовления различных типов
транзисторов. При этом же одновременно должно быть обеспечено улучшение качества
транзисторов (повышение процента выхода годных) и их надежности. Такой
положительный опыт у предприятия уже имеется. В настоящее время проводится работа
по анализу номенклатурного ряда выпускаемых транзисторов с целью максимальной унификации
кристаллов для применения их в наиболее востребованных приборах.
Первые положительные результаты совместных работ таких
предприятий, как АО «Светлана-Рост», АО «НИИЭТ» и ООО НПКП «Веста» в лице разработчиков Тарасова С.В., Цоцорина А.Н.,
Дикарева В.И., Кожевникова В.А., Кокина С.В., Токмакова О.И. по созданию
интегральной микросхемы 10-ваттной GaN транзисторной структуры S-диапазона
с напряжением 28 В защищены (Свидетельство о государственной регистрации интегральной
микросхемы № 2013630107) с приоритетом 19 июля 2013 г.
Дальнейшее развитие GaN – тематики ООО НПКП «Веста» связывает с привлечением более расширенного круга
заинтересованных отечественных и зарубежных инновационных технологических
центров.
Во
2-м и 3-м кварталах 2019 года ООО НПКП «Веста» завершило опытно-конструкторские
работы по созданию серии транзисторов для применения в метровом и дециметровом
диапазонах волн.
В
ОКР «Поиск-1» созданы для применения на частотах до 500 МГц при напряжении
источника питания 28В полевые DMOS транзисторы КП9134А
(Рвых= 5Вт), КП9134Б1 (Рвых=
40Вт) и LDMOS транзисторы КП9135А (Рвых= 10Вт).
В
ОКР «Модуль-Т» созданы кремниевые эпитаксиально-планарные
п-р-п низковольтные (UП=12,5В) генераторные СВЧ транзисторы бескорпусные с
гибкими выводами на подложке (кристаллодержателе) типов КТ6148АН2 (Рвых=
0,8Вт) , КТ9216АН2
(Рвых=
2,0Вт), КТ9217АН2 (Рвых=
20Вт), КТ9217БН2 (Рвых=
40Вт),
предназначенные для работы в диапазоне частот от 200 до 470 МГц в различных радиотехнических системах
широкого применения в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках,
модулях, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия
влаги. В рамках того же ОКР созданы по аналогичной технологии для применения в диапазоне частот от 100 до
200 МГц созданы
транзисторы КТ550АН2 (Рвых= 0,8Вт) и транзисторы КТ8311АН2 (Рвых=
5Вт).
В
ОКР «Принц» созданы кремниевые эпитаксиально-планарные
полевые с изолированным затвором генераторные СВЧ транзисторы бескорпусные с
гибкими выводами на подложке (кристаллодержателе) типов КП9161АН2 (Рвых=
5Вт), КП9161БН2 (Рвых=
7Вт), КП9161ВН(Рвых=
35Вт),
предназначенные для работы в диапазоне
частот от 200 до 500 МГц при
напряжении питания 28В.
В ООО НПКП «Веста» наряду с созданием дискретных транзисторов, постоянно
ведутся разработки усилителей мощности (УМ) для применения в метровом и
дециметровом диапазонах дли волн. Наша принципиальная позиция в подходе решения
схемотехнических задач при разработках
УМ состоит в применении отечественной электронной компонентной базы. В
частности, для построения выходных каскадов УМ специалистами предприятия
используются современные мощные DMOS и LDMOS транзисторы, которые выпускаются
Научно-исследовательским институтом электронной техники, г. Воронеж.