Лого ООО НПП "ВЕСТА"
НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ КОММЕРЧЕСКОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ВЕСТА"

Общество с ограниченной ответственностью
Информация о фирме Реквизиты Продукция Новости Контакты


Новости

    Руководством предприятия принято решение в качестве приоритетного направления технического развития определить разработки мощных импульсных паллет усилителей мощности для создания законченных функциональных блоков на их основе.

    Применение некоторых ВЧ и СВЧ транзисторов в действующих образцах аппаратуры в настоящее время по-прежнему востребовано. Но ввиду малой потребности их производство объективно становится нерентабельным, поскольку для каждого типа транзистора требуется свой комплект фотошаблонов и, соответственно, в каждом конкретном случае – специальный запуск рабочей партии пластин с транзисторными структурами. Поэтому возникла задача проработки и реализации проекта по проведению максимальной унификации конструкции и технологии транзисторных кристаллов с целью использования минимального количества комплектов фотошаблонов для изготовления различных типов транзисторов. При этом же одновременно должно быть обеспечено улучшение качества транзисторов (повышение процента выхода годных) и их надежности. Такой положительный опыт у предприятия уже имеется. В настоящее время проводится работа по анализу номенклатурного ряда выпускаемых транзисторов с целью максимальной унификации кристаллов для применения их в наиболее востребованных приборах.


    Первые положительные результаты совместных работ таких предприятий, как АО «Светлана-Рост», АО «НИИЭТ» и ООО НПКП «Веста» в лице разработчиков Тарасова С.В., Цоцорина А.Н., Дикарева В.И., Кожевникова В.А., Кокина С.В., Токмакова О.И. по созданию интегральной микросхемы 10-ваттной GaN транзисторной структуры S-диапазона с напряжением 28 В защищены (Свидетельство о государственной регистрации интегральной микросхемы № 2013630107) с приоритетом 19 июля 2013 г. Дальнейшее развитие GaN – тематики ООО НПКП «Веста» связывает с привлечением более расширенного круга заинтересованных отечественных и зарубежных инновационных технологических центров.

    Во 2-м и 3-м кварталах 2019 года ООО НПКП «Веста» завершило опытно-конструкторские работы по созданию серии транзисторов для применения в метровом и дециметровом диапазонах волн.

  В ОКР «Поиск-1» созданы для применения на частотах до 500 МГц при напряжении источника питания 28В полевые DMOS транзисторы КП9134А (Рвых= 5Вт), КП9134Б1   вых= 40Вт) и LDMOS транзисторы КП9135А (Рвых= 10Вт).

    В ОКР «Модуль-Т» созданы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п  низковольтные (UП=12,5В)  генераторные СВЧ транзисторы бескорпусные с гибкими выводами на подложке (кристаллодержателе) типов КТ6148АН2 вых= 0,8Вт) , КТ9216АН2 вых= 2,0Вт), КТ9217АН2 вых= 20Вт), КТ9217БН2 вых= 40Вт), предназначенные  для  работы в диапазоне частот  от 200 до 470 МГц  в различных радиотехнических системах широкого применения в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках, модулях, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги. В рамках того же ОКР созданы по аналогичной технологии для применения в диапазоне частот от 100 до 200 МГц созданы транзисторы КТ550АН2 (Рвых= 0,8Вт) и транзисторы КТ8311АН2 вых= 5Вт).


   В ОКР «Принц» созданы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором генераторные СВЧ транзисторы бескорпусные с гибкими выводами на подложке (кристаллодержателе) типов КП9161АН2 вых= 5Вт), КП9161БН2 вых= 7Вт), КП9161ВНвых= 35Вт), предназначенные  для работы в диапазоне частот  от 200 до 500 МГц при напряжении питания 28В.

   В ООО НПКП «Веста» наряду с созданием дискретных транзисторов, постоянно ведутся разработки усилителей мощности (УМ) для применения в метровом и дециметровом диапазонах дли волн. Наша принципиальная позиция в подходе решения схемотехнических задач при разработках  УМ состоит в применении отечественной электронной компонентной базы. В частности, для построения выходных каскадов УМ специалистами предприятия используются современные мощные DMOS и LDMOS транзисторы, которые выпускаются Научно-исследовательским институтом электронной техники, г. Воронеж.